引言基于開(kāi)路電壓(OCV)的電量計(jì)DS2786在出廠(chǎng)時(shí)將默認(rèn)的OCV特性和默認(rèn)配置加載到EEpROM中。為了提高OCV電量計(jì)的精度并使DS2786適應(yīng)特定的應(yīng)用場(chǎng)合，必要時(shí)需對(duì)DS2796的EEpROM進(jìn)行再編程。本文描述了如何對(duì)EEpROM進(jìn)行編程及如何對(duì)已經(jīng)安裝好的電路板進(jìn)行測(cè)試。板極測(cè)試下文給出了一個(gè)安裝電池包之前測(cè)試基于DS2786OCV電路板的例子。圖1為電路板的電路原理圖，用到了DS2786的所有功能。圖中所有重要的測(cè)試點(diǎn)(共7個(gè))都用帶圈數(shù)字標(biāo)出。測(cè)試流程假定電路中的所有分立元件已經(jīng)過(guò)測(cè)試，因此，測(cè)試目的為確認(rèn)線(xiàn)路連接，從而驗(yàn)證安裝的電路板是否正確。

圖1.必須驗(yàn)證的電路節(jié)點(diǎn)測(cè)試步驟1：測(cè)試初始化。該步驟的目的是確定電路板中是否存在直接短路，是否能進(jìn)行通信。器件成功通信后可以讀取電壓寄存器讀數(shù)，以驗(yàn)證SDA和SCL連接(節(jié)點(diǎn)1)、pack+和VDD引腳之間的連接(節(jié)點(diǎn)2)，以及pack-和VSS引腳(節(jié)點(diǎn)3)之間的連接是否正確。此外，通過(guò)讀取電壓寄存器并確認(rèn)測(cè)試是否有效，可以驗(yàn)證VIN引腳(節(jié)點(diǎn)4)連接是否正確。pack+與pack-間接4.0V電源。等待880ms。等待電壓轉(zhuǎn)換。讀電壓寄存器：2字節(jié)。若未發(fā)生通信表明電路安裝失敗。若電壓讀數(shù)不正確表明電路安裝失敗。測(cè)試步驟2：驗(yàn)證SNS(節(jié)點(diǎn)5)。通過(guò)有效的電流測(cè)試可驗(yàn)證SNS引腳連接是否正確。pack+與pack-間接4.0V電源。pack-與系統(tǒng)VSS間電流為1.0A。等待880ms。等待電流轉(zhuǎn)換讀電流寄存器：2字節(jié)。若電流讀數(shù)不準(zhǔn)確表明電路安裝失敗。測(cè)試步驟3：驗(yàn)證輔助輸入AIN0和AIN1連接(節(jié)點(diǎn)6)。通過(guò)有效的電阻測(cè)量可驗(yàn)證AIN0和AIN1引腳連接是否正確。這一步是可選的。在packID端與pack-間接10kΩ電阻。在Therm端與pack-間接10kΩ電阻。pack+與pack-間接4.0V電源。等待880ms。等待輔助輸入轉(zhuǎn)換。讀AIN0和AIN1：4字節(jié)。若AIN0/AIN1讀數(shù)不準(zhǔn)確表明電路安裝失敗。測(cè)試步驟4：驗(yàn)證VpROG并對(duì)EEpROM編程(節(jié)點(diǎn)8)。需要提供一個(gè)測(cè)試點(diǎn)用于連接編程電壓至VpROG引腳，以對(duì)DS2786的EEpROM進(jìn)行編程。通過(guò)寫(xiě)EEpROM和復(fù)制EEpROM可以驗(yàn)證該連接是否正確，并驗(yàn)證EEpROM是否已更新。EEpROM中包括了電流失調(diào)偏置寄存器(CObr)，因此在編程EEpROM之前校準(zhǔn)CObr是有益的。pack+與pack-間接4.0V電源。校準(zhǔn)CObr。若希望進(jìn)行CObr校準(zhǔn)，可以參看下文的詳細(xì)說(shuō)明。寫(xiě)參數(shù)EEpROM區(qū)：32字節(jié)。將參數(shù)復(fù)制到EEpROM。等待14ms。等待復(fù)制EEpROM。向參數(shù)EEpROM區(qū)寫(xiě)0xFFh：31字節(jié)非存儲(chǔ)器地址0x7Dh)*。從EEpROM中調(diào)用參數(shù)。讀參數(shù)EEpROM區(qū)：32字節(jié)。如果從EEpROM中讀取到的32個(gè)字節(jié)都無(wú)法與原先寫(xiě)入的32字節(jié)相匹配，說(shuō)明電路安裝失敗。不要向存儲(chǔ)器地址7Dh寫(xiě)入0xFFh，否則從地址將變化并且器件將停止響應(yīng)當(dāng)前從地址。電流失調(diào)偏置寄存器的校準(zhǔn)通過(guò)電流失調(diào)偏置寄存器，可在+3.175mV至-3.2mV間調(diào)節(jié)DS2786電流測(cè)量結(jié)果，步長(zhǎng)為25μV。CObr的出廠(chǎng)默認(rèn)值為0x00h。以下例子列出了校準(zhǔn)DS2786電流失調(diào)偏置寄存器的步驟：給DS2786加電，確保檢測(cè)電阻中無(wú)電流。向CObr中寫(xiě)0x00h(存儲(chǔ)器地址0x60h)。等待880ms，直至下一個(gè)轉(zhuǎn)換周期到來(lái)。讀電流寄存器。根據(jù)實(shí)際需要，多次重復(fù)步驟3和步驟4，直至獲得平均電流讀數(shù)。將平均電流讀數(shù)的相應(yīng)值寫(xiě)入CObr。將CObr值復(fù)制到EEpROM(該步驟應(yīng)與將所有值復(fù)制到EEpROM結(jié)合起來(lái)共同進(jìn)行)?？偨Y(jié)要對(duì)組裝好的基于OCV電量計(jì)DS2786進(jìn)行正確驗(yàn)證，需要測(cè)試電路中的每一個(gè)焊點(diǎn)。測(cè)試步驟1、2和3可以合為一個(gè)步驟以縮短測(cè)試時(shí)間，尤其是可以縮短轉(zhuǎn)換延遲時(shí)間。此外，測(cè)試期間對(duì)EEpROM編程可以提供更有效的測(cè)試流程，同時(shí)可以提供足夠的時(shí)間施加保存參數(shù)(包括電流失調(diào)偏置)至EEpROM所需的編程電壓。