中國上海，2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100VN溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XpH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XpH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。

MOSFET產(chǎn)品圖

新產(chǎn)品是東芝首款［1］采用緊湊型SOpAdvance（WF）封裝的車用100VN溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設(shè)備功耗；XpH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的［2］低導通電阻。

?汽車設(shè)備

電源裝置（DC-DC轉(zhuǎn)換器）和LED頭燈等（電機驅(qū)動、開關(guān)穩(wěn)壓器和負載開關(guān)）

?東芝的首款［1］100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOpAdvance（WF）封裝

?通過AEC-Q101認證

?低導通電阻：

RDS（ON）=4.1m?（最大值）@VGS=10V（XpH4R10ANB）

RDS（ON）=6.3m?（最大值）@VGS=10V（XpH6R30ANB）

?采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOpAdvance（WF）封裝

注釋：

［1］截至2019年12月25日

［2］在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中，截至2019年12月25日。東芝調(diào)查。