隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器歷來通過分立元件實(shí)施-分立驅(qū)動IC和分立功率MOSFET。這些器件被用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。最主要的是半橋和全橋。

許多云基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用采用半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如無線基站（遠(yuǎn)程無線電單元）、電源模塊和任何板載隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器。其他應(yīng)用包括工業(yè)領(lǐng)域，如電機(jī)驅(qū)動器、風(fēng)扇和暖通空調(diào)（HVAC）。這些應(yīng)用的設(shè)計工程師力求降低整體方案的大小或增加輸出功率。

安森美半導(dǎo)體的FDMF8811是業(yè)界首款100V橋式功率級模塊，優(yōu)化用于全橋和半橋拓?fù)?。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。

與分立方案相比，F(xiàn)DMF8811可減少一個典型的全橋方案約三分之一的pCB面積。這令制造商設(shè)計更緊湊、高能效的產(chǎn)品。物料單（BOM）器件的數(shù)量也顯著減少，實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈和裝配的高效。

如果pCB面積不是問題，那FDMF8811可有助于在現(xiàn)有的pCB面積內(nèi)提高設(shè)計的輸出功率。例如，這可通過從現(xiàn)有的、本來低功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如有源鉗位正激、反激式或推拉式，轉(zhuǎn)為采用FDMF8811的半橋或全橋拓?fù)鋪韺?shí)現(xiàn)。另一個例子是現(xiàn)有的采用分立MOSFET的半橋方案可以轉(zhuǎn)換為在相同的占板面積內(nèi)的一個全橋拓?fù)?。這種轉(zhuǎn)換使系統(tǒng)的輸出功率加倍。

過針刺 低溫防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆標(biāo)準(zhǔn)

充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

點(diǎn)擊詳情

FDMF8811集成了一對100V的功率MOSFET、120V驅(qū)動器IC和一個自舉二極管到6.0mmx7.5mm的pQFN封裝。

通過集成所有的關(guān)鍵動力傳動元件，安森美半導(dǎo)體已經(jīng)能優(yōu)化該模塊的驅(qū)動器和MOSFET的動態(tài)性能、系統(tǒng)寄生電感和功率MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS（ON），從而保持盡可能最高的能效。該集成顯著降低了供電回路的寄生效應(yīng)。這大大降低電壓應(yīng)力和電磁干擾（EMI），提高系統(tǒng)的可靠性。

采用FDMF8811的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器被充分優(yōu)化，以在最佳能效水平達(dá)到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，實(shí)在沒有理由再使用分立器件！

技術(shù)專區(qū)三極管2N3055組成的簡易DCDC降壓電路圖（電感降壓式/線性穩(wěn)壓電智能控制有源鉗位反激A/D轉(zhuǎn)換電路圖大全（五款A(yù)/D轉(zhuǎn)換電路設(shè)計原理圖詳解）Dialog公司USBpD芯片組被Hosiden最新智能手機(jī)電源適配器采用TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合