博世太陽能（阿恩施塔特，德國）和哈梅林太陽能研究所（ISFH，Emmerthal，德國）已經(jīng)使用離子注入指叉背結(jié)背接觸（IBC）技術(shù)，出現(xiàn)出了22.1％的高效晶體硅（C-Si）的太陽能光伏（PV）電池。

這是一個結(jié)果博世SE和ISFH的IBC技術(shù)的聯(lián)合開發(fā)計劃。正方形的156毫米太能能板子上的光伏電池已達到5.32瓦峰值輸出，創(chuàng)造了單結(jié)硅光伏電池的記錄，組織預(yù)計使用該技術(shù)將實現(xiàn)更高的電池輸出。

博世SE和ISFH的在一份新聞聲明表示：IBC電池是下一代太陽能電池有吸引力的概念，因為前端金屬化光學(xué)陰影造成的視覺陰影損失是可以防止的，背面?zhèn)鹊慕饘倩梢酝耆珶o銀的條件下進行。

IBC-細(xì)胞應(yīng)用了新穎和智能模塊互連的概念，突出的優(yōu)點是充分利用高電壓，異常高的電流密度和外形美觀。

離子注入技術(shù)簡化降低IBC成本

博世SE和ISFH的進一步指出，IBC電池工藝步驟是復(fù)雜的，離子注入可以讓該步驟大大簡化，注入是單面的單面的，并通過插入離子束上的蔭罩完成構(gòu)圖。

該組織指出，只有一個高溫步驟是必需的。這是由于使用了簡化的過程流離子注入技術(shù)，可以大大減少IBC電池的成本結(jié)構(gòu)。

工業(yè)生產(chǎn)過程的使用

博世和ISFH的也報告說，他們能夠通過使用標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)技術(shù)和工具，而不是實驗室方法來培養(yǎng)這些細(xì)胞來生產(chǎn)出這些電池。另外，電池是使用了n型硅晶片根據(jù)使用的是標(biāo)準(zhǔn)的Czochralski工藝法生產(chǎn)的

電池的開路電壓為676mV，短路電流密度為51.6mA/cm2和占空因數(shù)為78.5％。組織狀態(tài)，他們表示已經(jīng)確定了潛在的開路電壓和填充因子的進一步改善的潛力。

該項目得到了離子注入制造商為應(yīng)用材料公司（美國加利福尼亞州圣克拉拉）。