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半導體所在單晶硅太陽電池研究中獲得突破

鉅大LARGE  |  點擊量:790次  |  2020年04月23日  

由中科院半導體研究所韓培德研究員領導的光伏能源組,在國家縱向經(jīng)費和自籌經(jīng)費的支持下,瞄準光伏企業(yè)需求,經(jīng)過多年苦戰(zhàn),綜合了入射光減反技術、鈍化技術、選擇性發(fā)射極技術、背面局部重摻技術等優(yōu)點,在單晶硅襯底上研發(fā)出效率高達20.0%的太陽電池(短路電流密度JSC=43.9mA/cm2,開路電壓VOC=602mV,填充因子FF=0.758),并經(jīng)中國計量科學研究院認證。


在中國特色的光伏運動推動下,單晶硅/多晶硅太陽電池將以第一代電池身份(今年年底)跨入MartinA.Green說描述的第三代電池范疇(即光電轉換效率20%,電力成本$0.5/W,制造成本$100/m2),單晶硅/多晶硅太陽電池在光伏能源中的主導地位將長期不變。正因如此,提高單晶硅電池效率、形成自主知識產(chǎn)權、引領光伏企業(yè)向前發(fā)展更具有重要的戰(zhàn)略意義。


針對當前光伏低谷的產(chǎn)業(yè)形勢,課題組提出了提效率、重檢測、降成本、促應用十二字方針,以此作為該組日常工作指南,努力走一條與企業(yè)需要相結合的研發(fā)道路。下一步將繼續(xù)提高電池效率,同時對現(xiàn)有技術進行中試,并在產(chǎn)線上加以推廣和應用。


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