IEEE802.3at規(guī)范含義的以太網(wǎng)供電(poE)是通過一條CAT-5以太網(wǎng)電纜安全地傳輸應用數(shù)據(jù)和電源的方法。由于它支持靈活地在任何地方安裝設備，沒有在附近供應交流電源的限制，也不要電工進行安裝，因此，它得到了廣泛應用。最初的IEEE802.3afpoE規(guī)范限制了供電至受電設備(pD)的功率只有13W，這也就限制了設備的應用范圍，例如Ip電話和基本安防攝像機等。在2009年，IEEE802.3at規(guī)范將支持的功率增大到25.5W。但是，這還是無法滿足功率要求越來越高的poE應用需求，例如，微微蜂窩基站、無線接入點、LED標牌和加熱云臺變焦(pTZ)室外攝像機等。在2011年，凌力爾特公司公布了新的專有標準LTpoE++™，將poE和poE+規(guī)范擴展到90W供電，同時還維持與IEEEpoE標準100%的兼容。它支持四種不同的功率等級(38.7W、52.7W、70W、90W)，可以根據(jù)應用要求來調(diào)整電源供電。

LTpoE++供電設備(pSE)采用了更智能的pSE隔離體系結(jié)構，以減少元器件數(shù)量，盡量少使用昂貴的外部元器件。全面的電纜放電保護和80V絕對最大值的引腳保證了現(xiàn)場工作的高可靠性。采用外部FET使散熱性能可滿足應用需求，提高了系統(tǒng)效率，增強了長期可靠性。LTpoE++體系結(jié)構只要一個pSE和pD控制器，就能夠通過4對100mCAT-5e電纜供應90W的功率。

系統(tǒng)隔離要求

要實現(xiàn)以太網(wǎng)供電，要仔細的選擇體系結(jié)構和元器件，以降低系統(tǒng)成本，同時提高性能和可靠性。一個成功的設計必須滿足IEEE隔離要求，在短路和過流事件時保護HotSwap™FET，或者符合IEEE規(guī)范。poE規(guī)范清楚地闡述了隔離要求，在pD應用電路中，確保斷開接地環(huán)路，維持以太網(wǎng)數(shù)據(jù)完整性并降低噪聲。

傳統(tǒng)的pSE隔離體系結(jié)構在主機至pSE控制器接口處隔離數(shù)字接口和電源。光耦合器等數(shù)字隔離單元本質(zhì)上非常昂貴而且不可靠。能夠?qū)崿F(xiàn)隔離功能的IC成本非常高，不支持I2C高速傳送。而且，對pSE邏輯供電的隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器增大了電路板面積和系統(tǒng)成本。

輕松實現(xiàn)隔離

凌力爾特公司的12端口(LTC4270/LTC4271)和8端口pSE(LTC4290/LTC4271)芯片組采用了不同的pSE隔離方法，將所有的數(shù)字功能遷移到隔離邊界的主機側(cè)(圖1)。這極大的降低了所需元器件的成本和復雜性。不再要單獨的隔離DC/DC電源;LTC4271數(shù)字控制器可以使用主機的邏輯電源。LTC4271使用變壓器隔離通信方法控制LTC4290或LTC4270。低成本和廣泛應用的以太網(wǎng)變壓器對可替代6個光耦合器。在協(xié)議中編程實現(xiàn)含有端口管理、復位和快速端口關斷功能的I2C通信機制，從而降低了輻射能量，供應1500V的隔離。

圖1:LTC4290/LTC4271芯片組實現(xiàn)了隔離功能，不要任何光隔離器以及專用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器

可靠的電纜放電保護功能

考慮poE設計的可靠性非常重要，特別是處理大量的電纜、高電壓、大電流或者高溫的情況。凌力爾特公司在這方面相關經(jīng)驗豐富，設計了低成本、大吞吐量的電路保護方法，能夠靈活的調(diào)整滿足IEC61000電纜放電電壓要求。只要一個TVS來保護高電壓模擬電源，而在每一個輸出端口上采用一對低成本箝位二極管(圖2)。端口上的二極管引導有害的浪涌進入電源軌中，它們被浪涌抑制器以及VEE旁路電容吸收掉。浪涌抑制器還有保護pSE控制器不受VEE供電瞬變影響的優(yōu)點。凌力爾特的pSE控制器在所有模擬引腳上還有80V絕對最大額定限制，實現(xiàn)了對瞬變的保護。

圖2:可靠的電纜放電保護

降低功耗

凌力爾特的第四代pSE和pD控制器與IEEE802.3at規(guī)范完全兼容，而且LTpoE++功率達到了90W，同時通過使用低RDS(ON)外部MOSFET和0.25檢測電阻減小了熱耗散。這關于大功率系統(tǒng)非常重要，在這些系統(tǒng)中散熱設計和功率損耗的成本非常高，關于功率受限的應用也非常重要，這些應用要求在功率預算內(nèi)盡可能提高工作功率。集成了MOSFET的pSE和pD控制器具有較高的RDS(ON)參數(shù)，由于在器件內(nèi)部散熱，因此，很難進行散熱設計。對一個端口的損害會導致整個芯片受損。

LT4275(圖3)是市場上唯一能夠控制外部MOSFET的pD控制器，極大的降低了pD總熱耗，提高了功效，這關于較大功率應用非常重要。這一創(chuàng)新的方法支持用戶調(diào)整MOSFET以滿足應用的散熱和效率要求，支持使用30m量級的低RDS(ON)MOSFET。LT4275能夠支持高達90W的功率。