鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:1198次 | 2020年11月29日
電池的記憶效應(yīng)對電池性能有什么影響
池回憶效應(yīng)是指電池的可逆失效,即電池失效后可從頭回復(fù)的功能。電池長期飽嘗特定的作業(yè)循環(huán)后,主動堅(jiān)持這一特定的傾向。這個(gè)最早界說在鎳鎘電池,鎳鎘的袋式電池不存在回憶效應(yīng),燒結(jié)式電池有回憶效應(yīng)。意思是說,電池如同回憶用戶日常的充、放電幅度和形式,日久就很難改動這種形式,不能再做大幅度充電或放電。而現(xiàn)在的鎳金屬氫(俗稱鎳氫)電池不受這個(gè)回憶效應(yīng)界說的束縛,但有惰性,前幾次要激活才行,一般能夠充放電300-500次,過后就會發(fā)現(xiàn)持續(xù)時(shí)刻越來越短,短得你想換手機(jī)。用舊的電池包好放在冰箱里幾天然后再用會有所提高功能。
因?yàn)閭鹘y(tǒng)工藝中負(fù)極為燒結(jié)式,鎘晶粒較粗,假設(shè)鎳鎘電池在它們被徹底放電之前就從頭充電,鎘晶粒簡單集合成塊而使電池放電時(shí)構(gòu)成次級放電渠道。要消除這種效應(yīng),有兩種辦法,一是選用小電流深度放電(如用0.1C放至0V)一是選用大電流充放電(如1C)幾次。
在實(shí)踐運(yùn)用中,消除回憶效應(yīng)的辦法有嚴(yán)厲的規(guī)范和一個(gè)操作流程。操作不妥會適得其反。有關(guān)鎳鎘電池,正常的維護(hù)是按時(shí)深放電:平均每運(yùn)用一個(gè)月(或30次循環(huán))進(jìn)行一次深放電(放電到1.0V/每節(jié),即exercise),平常運(yùn)用是盡量用光電池或用到關(guān)機(jī)等手段能夠緩解回憶效應(yīng)的構(gòu)成,但這個(gè)不是exercise,因?yàn)閮x器(如手機(jī))是不會用到1.0V/每節(jié)才關(guān)機(jī)的,必需求專門的設(shè)備或線路來完結(jié)這項(xiàng)作業(yè),幸好許多鎳氫電池的充電器都帶有這個(gè)功能。電池會貯存這一放電渠道并在下次循環(huán)中將其作為放電的終點(diǎn),盡管電池自身的容量能夠使電池放電到更低的渠道上。在今后的放電進(jìn)程中電池將只記住這一低容量。同樣在每一次運(yùn)用中,任何一次不徹底的放電都將加深這一效應(yīng),使電池的容量變得更低。
鋰離子電池的正極資料通常有鋰的活性化合物組成,負(fù)極則是特殊分子結(jié)構(gòu)的碳。常見的正極資料首要成分為LiCoO2,充電時(shí),加在電池南北極的電勢迫使正極的化合物釋出鋰離子,嵌入負(fù)極分子排列呈片層結(jié)構(gòu)的碳中。放電時(shí),鋰離子則從片層結(jié)構(gòu)的碳中分出,從頭和正極的化合物結(jié)合。鋰離子的移動發(fā)作了電流,化學(xué)反響原理盡管很簡單,然而在實(shí)踐的工業(yè)生產(chǎn)中,需求考慮的實(shí)踐問題仍是許多:正極的資料需求添加劑來堅(jiān)持屢次充放的活性,負(fù)極的資料需求在分子結(jié)構(gòu)級去設(shè)計(jì)以容納更多的鋰離子;填充在正負(fù)極之間的電解液,除了堅(jiān)持穩(wěn)定,還需求具有良好導(dǎo)電性,減小電池內(nèi)阻。
鋰離子電池一般都帶有辦理芯片和充電操控芯片。其中辦理芯片中有一系列的寄存器,存有容量、溫度、ID、充電狀況、放電次數(shù)等數(shù)值。這些數(shù)值在運(yùn)用中會逐漸變化。運(yùn)用說明中的運(yùn)用一個(gè)月左右應(yīng)該全充放一次的做法首要的效果應(yīng)該便是修正這些寄存器里不妥的值,使得電池的充電操控和標(biāo)稱容量吻合電池的實(shí)踐狀況。充電操控芯片首要操控電池的充電進(jìn)程。鋰離子電池的充電進(jìn)程分為兩個(gè)階段,恒流快充階段(電池指示燈呈黃色時(shí))和恒壓電流遞減階段(電池指示燈呈綠色閃耀)。
恒流快充階段,電池電壓逐漸升高到電池的規(guī)范電壓,隨后在操控芯片下轉(zhuǎn)入恒壓階段,電壓不再升高以確保不會過充,電流則跟著電池電量的上升逐漸減弱到零,而終究完結(jié)充電。電量統(tǒng)計(jì)芯片通過記載放電曲線(電壓,電流,時(shí)刻)能夠抽樣計(jì)算出電池的電量,這便是咱們在BatteryInformaTIon里讀到的wh值。而鋰離子電池在屢次運(yùn)用后,放電曲線是會改動的,假設(shè)芯片一向沒有機(jī)會再次讀出完好的一個(gè)放電曲線,其計(jì)算出來的電量也便是不精確的。所以咱們需求深充放來校準(zhǔn)電池的芯片。
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