河南許昌學(xué)院表面微納米材料研究所鄭直課題組最近在新型異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池材料研發(fā)方面取得新進(jìn)展。相關(guān)成果日前發(fā)表于英國(guó)皇家化學(xué)會(huì)主辦的《道爾頓》雜志。

據(jù)了解，傳統(tǒng)的單晶硅太陽(yáng)能電池雖然具有較高的穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)化效率，但隨著能源和環(huán)境兩方面問(wèn)題的日益突出，其生產(chǎn)和應(yīng)用受到挑戰(zhàn)。一個(gè)重要原因是p-n結(jié)的制備須在高溫條件下完成，其復(fù)雜的制備過(guò)程要消耗較高的能量，且會(huì)造成一定程度的環(huán)境污染。

鄭直課題組利用部分化合物半導(dǎo)體可低溫（室溫）合成的特性，在半導(dǎo)體或?qū)щ娀妆砻娴蜏卦恢苽淞说饣瘉嗐~、硒化銀和溴化氧鉍等化合物半導(dǎo)體薄膜，并將致密、均勻的片狀或金字塔狀的有序陣列p-n結(jié)薄膜制作成低成本太陽(yáng)能電池器件。

該類低溫原位方法制備的p-n結(jié)薄膜能有效提高光生載流子的分離，并抑制電子空穴復(fù)合。其具有操作簡(jiǎn)單、反應(yīng)快捷且重復(fù)性好，產(chǎn)品易成膜、能耗低、環(huán)境友好、可大面積制備等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)克服了傳統(tǒng)成膜過(guò)程中顆粒團(tuán)聚、微觀結(jié)構(gòu)破壞、雜質(zhì)引入、高溫退火、機(jī)械穩(wěn)定性差等問(wèn)題。這為制造大面積、低成本及低能耗光電薄膜及器件供應(yīng)了一種新的思路和可靠方法。（史俊庭）

過(guò)針刺 低溫防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆標(biāo)準(zhǔn)

充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

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