鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:1314次 | 2019年01月05日
研究人員為量子點(diǎn)納米棒開發(fā)了更快,更精確的二氧化硅涂層工藝
北卡羅來納州立大學(xué)的材料研究人員對一種技術(shù)進(jìn)行了微調(diào),使他們能夠在一天內(nèi)將精確控制的二氧化硅涂層應(yīng)用于量子點(diǎn)納米棒-比以前的方法快21倍。除了節(jié)省時(shí)間之外,提前意味著量子點(diǎn)不太可能降解,從而保持其有利的光學(xué)性質(zhì)。
量子點(diǎn)是納米級半導(dǎo)體材料,其小尺寸使得它們具有與相同材料的較大尺寸版本不同的電子能級。通過控制量子點(diǎn)的大小,研究人員可以控制相關(guān)的能量水平-這些能量水平為量子點(diǎn)提供了新穎的光學(xué)特性。這些特性使得量子點(diǎn)有望用于光電子和顯示技術(shù)等應(yīng)用,但是量子點(diǎn)被配體包圍,配體是對熱敏感的有機(jī)分子。如果配體被破壞,則量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)受損,我們希望用二氧化硅涂覆棒狀量子點(diǎn)以保持其化學(xué)和光學(xué)性質(zhì),”前博士生BryanAnderson說。北卡羅來納州立大學(xué)的學(xué)生,他是該論文的主要作者?!暗?,以精確的方式涂覆量子點(diǎn)納米棒會帶來挑戰(zhàn)。
其他研究團(tuán)隊(duì)以前的工作已經(jīng)在溶液中使用水和氨來促進(jìn)用二氧化硅涂覆量子點(diǎn)納米棒。然而,這些技術(shù)并不能獨(dú)立控制該過程中使用的水和氨的量,通過獨(dú)立控制所用的水和氨的量,北卡羅來納州研究人員能夠達(dá)到或超過以前方法所達(dá)到的二氧化硅涂層的精度。此外,使用他們的方法,NC州團(tuán)隊(duì)能夠在一天內(nèi)完成整個(gè)二氧化硅涂層工藝-而不是其他工藝所需的一到三周。
“加工時(shí)間很重要,因?yàn)榧庸み^程越長,被涂覆的量子點(diǎn)納米棒就越有可能降解,”NCState的材料科學(xué)與工程副教授,高級作者喬·特雷西說。紙。“當(dāng)我們考慮將這一過程擴(kuò)展到制造過程時(shí),時(shí)間因素也可能很重要,也就是說,研究人員仍有問題,施加二氧化硅涂層的過程蝕刻量子點(diǎn)納米棒的硫化鎘表面,其將納米棒的長度縮短多達(dá)四或五納米。該縮短表示蝕刻,這降低了量子點(diǎn)納米棒發(fā)射的光的亮度。
“我們認(rèn)為氨可能是罪魁禍?zhǔn)祝碧乩孜髡f。“我們有一些我們正在追求的想法,專注于如何用氨替代另一種催化劑,以最大限度地減少蝕刻,并更好地保護(hù)量子點(diǎn)納米棒的光學(xué)特性。
該論文“具有受控形態(tài)的CdSe/CdS核/殼量子點(diǎn)納米棒的二氧化硅外涂層”在線發(fā)表在“材料化學(xué)”雜志上。該論文由前任博士吳偉辰共同撰寫。特雷西實(shí)驗(yàn)室的學(xué)生。這項(xiàng)工作是在國家科學(xué)基金會的資助號DMR-1056653的支持下完成的。