鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:1691次 | 2019年07月13日
余家國:鎳基超級電容器的研究進(jìn)展
超級電容器是一種可以緩沖風(fēng)/太陽能源不穩(wěn)定性的儲能裝置。超級電容器的比能量(能量密度:ED)和比功率(功率密度:PD)結(jié)合了傳統(tǒng)電容器和電池的優(yōu)點(diǎn)。超級電容器和電池的相似性包括:1)在電極/電解質(zhì)界面處存儲能量;2)離子傳輸和電子傳輸。電池和超級電容器的差異性自由能:電池是單電子自由能,而超級電容器是連續(xù)自由能變化。在電池中,化學(xué)反應(yīng)釋放可以被收集到電路;而在超級電容器中,電荷主要以靜電方式存儲。超級電容器具有功率高、充放電速度快,循環(huán)壽命長,成本低廉等一系列優(yōu)勢,其應(yīng)用前景廣闊。但是超級電容器的性能與電極材料密切相關(guān),如何設(shè)計(jì)和制備出高性能的電極材料,直接決定了超級電容器的性能。本文選取鎳基材料為基礎(chǔ),綜合分析了鎳基材料在超級電容器上的應(yīng)用。
近日,中國武漢理工大學(xué)的余家國(通訊)作者等人,總結(jié)了鎳基材料的最新研究進(jìn)展;討論了鎳基材料的制備和性能改進(jìn)等重要問題;分析了協(xié)同效應(yīng)的根本原因;列舉了面臨的挑戰(zhàn)和可能解決方案。最后,對鎳基材料的未來發(fā)展提出了一些新的看法。相關(guān)成果以“Nickel-based materials for supercapacitors”為題發(fā)表在Materials Today上。
圖1、常見電化學(xué)儲能裝置的Ragone圖
圖2、超級電容器的優(yōu)勢
圖 3 不同電容器的原理示意圖
(a)靜電電容器;
(b)雙電層電容器;
(c)贗電容器;
(d)鋰離子電容器的示意圖。
圖4、近10年鎳基超級電容器發(fā)表文章統(tǒng)計(jì)圖
圖5、鎳基材料的分類圖
圖6、花粉模板-NiO(P-NiO)電極
(a,d)未經(jīng)處理油菜花粉粒的示意圖及其SEM圖像;
(b,e)預(yù)處理后,油菜花粉粒的示意圖及SEM圖像;
(c,f)花粉模板-NiO(P-NiO)的示意圖及SEM圖像;
(g,h)P-NiO的TEM圖像;
(i)P-NiO的HRTEM圖像;
(j)在10 mV s-1下,P-NiO的CV曲線;
(k)在10 A g-1(插圖:1 A g-1)的CP曲線;
(l)無模板-NiO(W-NiO),P-NiO,Ni泡沫,花粉-A(天然花粉粒)和花粉-C(處理過的花粉粒)的速率性能對比圖。
圖7、不同殼層結(jié)構(gòu)NiO電極
(I)不同殼層結(jié)構(gòu)NiO的合成示意圖;
(a-c)封閉外部雙殼的雙殼、三殼和四殼空心NiO微球的TEM圖像;
(d-f)雙殼、三殼和單殼NiO空心微球的TEM圖像;
(g)不同結(jié)構(gòu)NiO微球的CV曲線;
(h)不同結(jié)構(gòu)NiO微球的的充電/放電曲線;
(i)不同結(jié)構(gòu)NiO微球的速率性能對比圖。
圖8、碳質(zhì)材料的優(yōu)勢
圖9、NiO/C-HS電極
(a)NiO/C-HS的合成示意圖;
(b)前體SiO2/C的TEM圖像;
(c)中間體Ni(OH)2/C-HS的TEM圖像;
(d)NiO/C-HS的TEM圖像。
圖10、NiCo2O4電極
(a)NiCo2O4的CV曲線;
(b)NiCo2O4的CP曲線;
(c)NiCo2O4的電流密度與質(zhì)量比容量關(guān)系圖;
(d)NiCo2O4的循環(huán)性能圖;
(e,f)NiCo2O4的TEM及其選取電子衍射圖;
(g,h)NiCo2O4-石墨烯的TEM、HRTEM及其選取電子衍射圖;
(i)Co3O4/CoO-石墨烯的合成示意圖。
圖11、CF-Ni01-G中NiCo2O4電極
(l)純CF和鎳CF上NiCo2O4生長的示意圖;
(a)CF-G的SEM圖像;
(b)CF-Ni01-G的SEM圖像;
(c)CF-Ni05-G的SEM圖像;
(d)CF-Ni10-G的SEM圖像;
(e)CF-Ni01-G中單個NiCo2O4納米棒的TEM圖;
(f)CF-Ni01-G中單個NiCo2O4納米棒的HRTEM;
(g)CF-Ni10-G中NiCo2O4納米片的TEM圖;
(h)CF-Ni10-G中NiCo2O4納米片的HRTEM;
(i-k)不同鎳含量的NiCo2O4的CV曲線。
圖12、鎳鈷鋁(NCA)層狀氫氧化物電極
(a,b)未處理和(c,d)處理后,鎳鈷鋁(NCA)層狀氫氧化物的TEM圖像;
(e)在2M NaOH中,5 mVs-1的掃描速率下,NCA 7-1T的CV曲線;
(f)1 Ag-1和20 Ag-1下,不同樣品的比電容對比圖;
(g)NCA 7-1和NCA 7-1T樣品的奈奎斯特圖;
(h)不同樣品的等效串聯(lián)電阻(ESR)。
圖13、Cu@Ni(OH)2電極
(a)原始銅泡沫的FESEM圖像;
(b)在第一步氧化處理后,銅泡沫的FESEM圖像;
(c)在第二步水熱反應(yīng)處理后,銅泡沫的FESEM圖像;
(d,e)1ML-1 KOH電解質(zhì),Cu@Ni(OH)2非對稱超級電容器的CV曲線、CP曲線;
(f)能源與功率密度的Ragone曲線;
(g)電容器的奈奎斯特圖。
圖14、NiMn-LDH/CNT電極
(a)NiMn-LDH/CNT的合成示意圖
(b,c)NiMn-LDH/CNTs和Ni(OH)2/CNTs的CV曲線、CP曲線;
(d)電流密度與質(zhì)量比容量的關(guān)系圖;
(e)長循環(huán)性能圖。
圖15、Ni-MOF電極
(a)Ni-MOF晶體結(jié)構(gòu)示意圖;
(b)手風(fēng)琴狀Ni-MOF的TEM圖像;
(c)3 M KOH溶液中Ni-MOF的CV曲線;
(d)Ni-MOF的CP曲線;
(e)不同電流密度下,電流密度與質(zhì)量比容量的關(guān)系圖;
(f)1.4 A g-1下,Ni-MOF的充電-放電循環(huán)圖。
圖16、3D花狀β-NiS的電極
(a-d)3D花狀β-NiS的SEM圖像;
(e)3D花狀β-NiS納米結(jié)構(gòu)的合成示意圖;
(f)β-NiS電極的CV曲線;
(i)β-NiS電極的CP曲線;
(j)β-NiS電極的電流密度與面積容量的關(guān)系曲線;
(k)等效電路的奈奎斯特曲線圖。
圖17、NixSy@CoS電極
(a)NixSy@CoS雙殼納米籠的形成過程的示意圖;
(b-d)NixSy@CoS的TEM圖像;
(e)NixSy@CoS的CV曲線;
(f)NixSy@CoS的CP曲線。
圖18、NH4NiPO4·H2O/Ni電極
(a-c)NH4NiPO4·H2O/Ni的SEM圖;
(d,e,f)NH4NiPO4·H2O/Ni泡沫的元素Mapping圖、CV曲線、CP曲線;
(g)電流密度與質(zhì)量比容量關(guān)系圖;
(h)NH4NiPO4·H2O/Ni泡沫和NH4NiPO4·H2O@PPy/Ni的EIS圖(插圖:高頻區(qū)域的放大圖)。
圖19、FeCo2S4-NiCo2S4的電極
(a)實(shí)驗(yàn)服照片;
(b)在紡織布上FeCo2S4-NiCo2S4的顏色變化圖;
(c)FeCo2S4-NiCo2S4在銀濺射紡織布上的制備過程的示意圖。
圖20、非傳統(tǒng)超級電容器領(lǐng)域的發(fā)展趨勢圖
結(jié)論與展望
鎳基材料的研究路線有許多種,包括分級設(shè)計(jì),組合優(yōu)化和摻雜等,旨在克服限制其應(yīng)用的問題。雖然已經(jīng)取得了令人鼓舞的進(jìn)展,但是鎳基材料的電子傳導(dǎo)性仍然遠(yuǎn)離低于碳的電子傳導(dǎo)性,阻礙了它們的應(yīng)用??刂坪铣蓞?shù)和實(shí)驗(yàn)條件的關(guān)鍵是在分子或原子水平上,設(shè)計(jì)與合成所需電極材料。
在鎳基電極材料的設(shè)計(jì)中,應(yīng)考慮以下幾個方面。(1)氧或鎳空位對超級電容器性能的影響。(2)充分利用每種材料,當(dāng)多種元素共存于電極材料中,可能誘發(fā)物理/化學(xué)性質(zhì)的不均勻性。(3)合理設(shè)計(jì)材料結(jié)構(gòu)。(4)材料的界面調(diào)控。鎳基材料的電荷轉(zhuǎn)移,通常發(fā)生在電極/電解質(zhì)界面處。(5)鎳基材料上氧化還原反應(yīng)的進(jìn)行。(6)調(diào)控鎳基材料的電位窗口。(7)氧化還原反應(yīng)或循環(huán)測試后,材料的性質(zhì)研究,包括結(jié)晶、缺陷、形態(tài)和表面積沒有得到強(qiáng)調(diào)。只有通過研究氧化還原反應(yīng)中鎳基材料的變化,才能找到優(yōu)化鎳基材料的最佳方案。
在原子尺度上設(shè)計(jì)材料,原位材料表征和理論推導(dǎo)是必不可少的。在穩(wěn)定性評估時要關(guān)注電容保持率和材料的損壞程度。鎳基材料測試前后,應(yīng)注意分析鎳的形貌和化學(xué)狀態(tài)。另外,計(jì)算建模和模擬也可以幫助預(yù)測和分析成分對鎳基材料的電化學(xué)性質(zhì)的影響,提高超級電容器性能。
原標(biāo)題:武漢理工余家國Mater. Today:鎳基超級電容器的研究進(jìn)展