太陽(yáng)電池?zé)岚呤侵柑?yáng)電池組件在陽(yáng)光照射下，由于部分組件受到遮擋無(wú)法工作，使得被遮蓋的部分升溫遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于未被遮蓋部分，致使溫度過(guò)高出現(xiàn)燒壞的暗斑。

熱斑可能導(dǎo)致整個(gè)電池組件損壞，造成損失。因此，需要研究造成熱斑的內(nèi)在原因，從而減小熱斑形成的可能性。太陽(yáng)電池?zé)岚叩男纬芍饕蓛蓚€(gè)內(nèi)在因素構(gòu)成，分別與內(nèi)阻和太陽(yáng)電池自身暗電流大小有關(guān)。

組件功率下降究其原因主要有三方面：

1.硅片質(zhì)量下降，導(dǎo)致電池出現(xiàn)較大幅度早期光致衰減;

2.一些組件制造廠組件制造工藝不合理，出現(xiàn)諸如電池片隱裂、EVA交聯(lián)度不好、脫層、焊接不良等質(zhì)量問(wèn)題，這種組件在短時(shí)間內(nèi)也會(huì)造成輸出功率衰減或組件失效;

3.有些組件制造商功率測(cè)試不準(zhǔn)確。

輸出功率衰減可分為兩個(gè)階段：

1.早期光致衰減，即光伏組件的輸出功率在剛開(kāi)始使用的最初幾天發(fā)生較大幅度的下降，但隨后趨于穩(wěn)定。其重要原因是硼氧復(fù)合;

2.組件的老化衰減，即在長(zhǎng)期使用中出現(xiàn)的極緩慢的功率下降，產(chǎn)生的主要原因與封裝材料的性能退化有關(guān)，也與電池緩慢衰減有關(guān)光伏組件早期衰減的三種方案中，尚德采用的是第三種：改變p型摻雜劑，用稼代替硼，讓我來(lái)看看為啥

反向電流

其實(shí)原本是針對(duì)二極管提出的一個(gè)概念，當(dāng)二極管反向偏置的時(shí)候本來(lái)應(yīng)該是不導(dǎo)通的，沒(méi)有電流;但是實(shí)際在二極管兩端加反向電壓的時(shí)候，會(huì)有微弱的電流流過(guò)二極管，這個(gè)電流就是反向電流

漏電流也叫旁路電流

從反向電流和漏電流都可以判斷Si片中雜質(zhì)含量高低

暗電流：主要是因?yàn)榭涛g的時(shí)候沒(méi)有把邊緣的pN結(jié)刻掉，并聯(lián)電阻太小，造成漏電，開(kāi)始的時(shí)候沒(méi)什么關(guān)系，時(shí)間長(zhǎng)后衰減得厲害。爆曬后就可以看出來(lái)了，如果做了組件后直接拿去爆曬2天就看出來(lái)了。

暗電流曲線是指太陽(yáng)能電池在沒(méi)有光照下的電壓-電流(IV)曲線，測(cè)試方法與光電流一樣，只是必須完全隔絕光線。

測(cè)量暗電流的意義在于表征電池的整流效應(yīng)。好的電池應(yīng)該有比較高的整流比，也就是正向暗電流比反向暗電流高越多越好。電流的整流效應(yīng)與電池開(kāi)路電壓有關(guān)。

暗電流：darkcurrent

反向電流：reversecurrent

暗電流：無(wú)光照下，p-N結(jié)在不同電壓下的電流

反向電流：反向偏壓下，流經(jīng)p-N結(jié)的電流

電池片從線上下來(lái)測(cè)試的如果是燒結(jié)后的測(cè)試,在電場(chǎng)的作用下少子會(huì)定向移動(dòng),一般少子是由半導(dǎo)體本征激發(fā)而產(chǎn)生,暗電流過(guò)大會(huì)導(dǎo)致開(kāi)路電壓變小,直接導(dǎo)致轉(zhuǎn)換率下降,然而暗電流過(guò)小的話,說(shuō)明少子的量少,少子少說(shuō)明少子壽命短,在少子被激發(fā)出來(lái)后很快的被復(fù)合掉,少子壽命由少子的有效質(zhì)量和散射有關(guān),有效質(zhì)量是與能帶結(jié)構(gòu)決定,一般片子都是固定的,有效質(zhì)量也是固定的,所以少子壽命主要與散射有關(guān),散射分離子散射,缺陷散射,和晶格散射等,如果片子內(nèi)部缺陷多,離子多,晶格震動(dòng)越厲害,散射率越明顯,散射率越大,少子壽命大大越低,此外散射還與溫度有關(guān),溫度越高,內(nèi)部的微觀運(yùn)動(dòng)越劇烈,導(dǎo)致散射率變大,少子壽命下降,少子壽命下降直接導(dǎo)致片子的短路電流減小,導(dǎo)致轉(zhuǎn)換率下降,因此通過(guò)判斷暗電流的大小,我們可以知道片子的基本狀況,是好是壞,壞在哪里也就一清二楚了

關(guān)于組件的損益

損益是封裝的時(shí)候，一方面，由于封裝材料和層壓保護(hù)等方面對(duì)電流的提升作用，另一方面是不同功率電池封裝以后電流的損耗性，還有就是接觸電阻等的損耗作用，綜合的因素

摻稼單晶電池和組件

在上文提出的解決

由于稼在硅中的分凝系數(shù)為0.008，遠(yuǎn)小于硼的0.8，這使得摻稼單晶硅棒的電阻率分布相對(duì)摻硼單晶較寬，但對(duì)于市場(chǎng)上單晶硅電池要求電阻率為0.5-6歐姆的規(guī)格范圍，這并不是個(gè)問(wèn)題，現(xiàn)有電池工藝完全可以接受。

采用稼替代硼作為p型摻雜劑的優(yōu)勢(shì)主要有：

1.對(duì)現(xiàn)有拉晶設(shè)備和工藝無(wú)任何影響，僅需將硼摻雜劑改為稼摻雜劑;

2.對(duì)現(xiàn)有電池制造工藝無(wú)任何影響;

3.每50千克硅料僅需摻稼1~2克，成本約為10元