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等離子電視電源的電磁兼容設(shè)計(jì)

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:992次  |  2020年06月20日  

1.等離子電源的EMI分析


電源部分是整機(jī)的能源供應(yīng)者,所以電源品質(zhì)的好壞決定了系統(tǒng)工作的狀態(tài)。我們先進(jìn)行需求分析:等離子電視功耗大于75W,根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求必須加pFC電路,提高有功功率。由于有待機(jī)功耗要求,因此采用反激加諧振的方式,這樣既滿足了驅(qū)動(dòng)要求,又滿足待機(jī)功耗要求。


因此電源部分共包含4個(gè)大的模塊,電源輸入端濾波整流電路、pFC電路、諧振電路、反激電路。


(1)濾波整流電路。既抑制電源本身的干擾通過(guò)電源線進(jìn)入供電網(wǎng)絡(luò),又防止供電網(wǎng)絡(luò)的干擾進(jìn)入電源。


(2)pFC電路。pFC電路工作過(guò)程中,MOSFET管在工作時(shí)由柵極驅(qū)動(dòng)脈沖控制通斷狀態(tài),引起干擾。pFC電路中的二極管在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)間切換,反向恢復(fù)電流也會(huì)引起干擾。


(3)反激電路和諧振電路。反激電路和諧振電路中的MOSFET在切換通斷狀態(tài)時(shí)兩端電壓出現(xiàn)突變,變壓器初級(jí)線圈中電流出現(xiàn)反電動(dòng)勢(shì),次級(jí)電路中二極管在通斷過(guò)程中存在反向恢復(fù)電流,這些都引起干擾。


2.電源的EMC設(shè)計(jì)


2.1EMI濾波電路


為了抑制整機(jī)電路和電源自身所出現(xiàn)的干擾不向外傳播,也為了外部電網(wǎng)的干擾不進(jìn)入電源和整機(jī),在電源入口處設(shè)計(jì)了EMI濾波電路。


開(kāi)關(guān)電源的干擾分為差模干擾和共模干擾,共模干擾是火線或零線與地線之間出現(xiàn)的干擾,差模干擾是火線與零線之間出現(xiàn)的干擾。


2.1.1差模濾波


開(kāi)關(guān)電源的差模傳導(dǎo)騷擾,重要是由電路中開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)在電源輸入線上出現(xiàn)一個(gè)周期性的電流信號(hào)。由于電解電容作為儲(chǔ)能電容,存在ESR和ESL,當(dāng)周期電流信號(hào)經(jīng)過(guò)儲(chǔ)能電容時(shí),電容兩端就會(huì)出現(xiàn)電壓降,這個(gè)電壓降導(dǎo)致電源端口出現(xiàn)電流回路,形成差模傳導(dǎo)騷擾,并通過(guò)LISN把干擾傳導(dǎo)到接收機(jī)。


變壓器初級(jí)線圈、開(kāi)關(guān)管和濾波電容構(gòu)成的高頻開(kāi)關(guān)電流環(huán)路,使高頻電流反饋到交流電源中形成干擾;同時(shí),變壓器初次級(jí)間的分布電容會(huì)使初級(jí)回路中出現(xiàn)的干擾向次級(jí)傳遞,加大干擾傳遞環(huán)路,使更多電流流入LISN,加劇干擾。


當(dāng)電路中添加了差模濾波后,差模電流減小回流路徑,減少對(duì)接收機(jī)和電網(wǎng)的干擾。


2.1.2共模濾波


開(kāi)關(guān)電源的共模傳導(dǎo)騷擾,重要是由開(kāi)關(guān)電路中的電壓瞬變?cè)斐傻?,開(kāi)關(guān)管的負(fù)載為高頻變壓器初級(jí)線圈,為感性負(fù)載,在開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)瞬間,在初級(jí)線圈的兩端出現(xiàn)較高的浪涌尖峰電壓,而由于初級(jí)線圈和次級(jí)線圈之間的分布電容、電源線對(duì)地線的阻抗、次級(jí)線圈電源和地之間電容的存在,構(gòu)成了電源和地之間的電流回路,形成共模干擾。


當(dāng)電路中添加了共模濾波后,共模電流回流路徑減小,減少對(duì)接收機(jī)和電網(wǎng)的干擾。


2.1.3濾波電路設(shè)計(jì)


我們?cè)O(shè)計(jì)EMI濾波器如圖1所示,電路包括兩級(jí)濾波結(jié)構(gòu),共模電感L103、共模電容CY102、CY102和差模電容C101組成第一級(jí),共模電感L104、共模電容CY103、CY104和差模電容CX102組成第二級(jí)。R104、R105、R106為泄放電阻,保證電源斷電后迅速放電到安全電壓以下。


由于變壓器初次級(jí)分布電容的存在,引起共模干擾,因此可以通過(guò)減小初次級(jí)分布電容改善共模干擾,可以在變壓器初次級(jí)間增設(shè)屏蔽層。同時(shí)將變壓器屏蔽層接至初級(jí)的中線端,還可以抑制差模干擾。


圖1EMI濾波電路


2.2pFC電路


電路中由于MOSFET的開(kāi)關(guān)狀態(tài)引起干擾,因此我們針對(duì)MOSFET加抑制措施,可以通過(guò)以下方法改善pFC電路的干擾:


調(diào)整驅(qū)動(dòng)電阻R422、R423,改變開(kāi)關(guān)速率;


MOSFET漏源極加吸收電容C410;


電阻D410兩端加磁珠BD1、BD2吸收干擾。


圖2pFC電路


2.3反激電路


在電路中,初級(jí)部分由于MOSFET通斷引起的干擾,我們通過(guò)電阻R210、電容C207、二極管FR107組成的吸收電路進(jìn)行抑制,二級(jí)管采用快恢復(fù)二極管。也可以通過(guò)調(diào)節(jié)MOESFET柵極輸入的pWM脈沖改變MOSFET開(kāi)關(guān)頻率來(lái)進(jìn)行改善。


次級(jí)部分二極管的反向恢復(fù)電流引起的干擾,我們通過(guò)在二極管兩端并聯(lián)電容C301來(lái)吸收。如圖3a所示。


2.4諧振電路


電路中通過(guò)調(diào)整MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻R515、R516和R518、R519來(lái)設(shè)置不同的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間,減小MOSFET的開(kāi)關(guān)帶來(lái)的干擾,如圖3b所示。


圖3反激電路和諧振電路


2.5pCB設(shè)計(jì)


開(kāi)關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)中,pCB布板是非常關(guān)鍵的一環(huán)。優(yōu)秀的pCB布板,即使有干擾源,也能最大程度地阻斷傳播途徑,將干擾水平降到最低;不良的pCB布板,即使干擾源不大,也會(huì)通過(guò)走線將其放大并傳播出去,甚至出現(xiàn)較大的干擾。pCB布板重要注意以下幾點(diǎn):


(1)大電流信號(hào)走線要順、短、粗;


(2)大電流信號(hào)和小信號(hào)要分離走線,防止功率信號(hào)干擾小信號(hào);


(3)不同系統(tǒng)之間的共地信號(hào)連接點(diǎn)盡量唯一確定;


(4)存在電流環(huán)路的地方,比如反激電路漏極的吸收環(huán)路,應(yīng)該盡量使環(huán)路面積最小。


3.小結(jié)


通過(guò)對(duì)等離子電視電源的干擾分析,針對(duì)電路模塊設(shè)計(jì)出一套濾波電路,該套電路應(yīng)用后,傳導(dǎo)和輻射都得到較好的抑制,配合整機(jī)的設(shè)計(jì)和整改,測(cè)試結(jié)果合格,滿足了項(xiàng)目要求。


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