鈉離子電池因其近乎取之不盡用之不竭的鈉資源，被認為是大型儲能裝置的最優(yōu)解決方法之一。其中，正極材料是組裝全電池的重要一環(huán)，其性能優(yōu)劣關于最終全電池的性能具有決定性的影響。同時，能量密度作為電極重要的評價標準之一，關于全電池的設計等均有重要影響。其次，基于材料成本的考量，鐵錳基材料由于其地殼儲量巨大，廉價易得，因此具有極其重要的研究價值和工業(yè)應用前景。聚陰離子型材料與其他類型材料相比，具有循環(huán)穩(wěn)定性好，熱穩(wěn)定性佳等優(yōu)點，但因其較低的電子電導率，故對其進一步的碳修飾及碳骨架設計是提升其電化學性能的重要一環(huán)。

因此，高能量密度鐵基聚陰離子型正極材料近年來受到研究者的廣泛關注。Na2Fe2(SO4)3作為一種優(yōu)異的低成本鐵基正極材料，具有在聚陰離子型材料中罕見的高達3.8V的可逆平臺以及121mAh/g的理論比容量，為高能量密度打下了堅實基礎。最近，澳大利亞臥龍崗大學超導及電子材料研究所的侴術雷教授課題組與溫州大學化學與材料工程學院王舜教授課題組合作，通過一種新穎的一步凍干煅燒合成方法，將該材料與氧化石墨烯緊密復合，在鈉離子電池中表現(xiàn)了優(yōu)異的電化學性能。同時，該材料具有鐵磷比可控的優(yōu)勢，為該類材料其他非計量比結構提出了一種簡易可行的方法。最后，作者也通過原位同步輻射XRD分析以及理論計算發(fā)現(xiàn)，該材料首圈循環(huán)的晶格會發(fā)生輕微程度的畸變，且先前認為不能脫出的鈉原子也存在深度脫嵌的可能。該文章發(fā)表在國際優(yōu)秀期刊AdvancedEnergyMaterials上(影響因子：21.875)。

圖1(a)Na2Fe2(SO4)3@C@GO的合成流程示意圖以及(b)同步輻射XRD精修結果及其示意圖

材料的合成方法及精修結果如圖1所示。通過快速冷凍，前驅體的元素分布均勻，且預先分散好的氧化石墨烯可以供應同步的碳骨架網(wǎng)絡。結果表明，煅燒后所得材料具有C2/c空間群，且無FeO,Fe2O3或Fe3O4等雜相檢測出。高達3.8V的可逆充放電電壓重要由共邊的[Fe2O10]二聚體結構供應，且電負性高的硫元素將鐵元素限制在高自旋狀態(tài)，同時c軸方向的鈉離子通道方便鈉原子快速的擴散。

圖2Na2Fe2(SO4)3@C@GO的SEM及(HR)TEM圖和STEM-EDSmapping能譜圖

材料的形貌如圖2所示。均勻碳層修飾的Na2Fe2(SO4)3材料被氧化石墨烯均勻的包裹，且結晶性良好，各個元素均勻分布。同時，該材料在鈉離子電池中顯示出了優(yōu)異的電化學性能，在0.1C(1C=120mA/g)的電流密度下有107.9mAh/g的比容量，且在10C下仍有75.1mAh/g。首圈庫倫效率接近100%，但從dQ/dV曲線可以看出，首圈及二圈之間存在明顯的相變過程。隨著放電電流密度的增大，有氧化石墨烯包裹的材料的電壓平臺極化顯著減小。同時，在0.2C及5C電流下，容量保持率仍有90%及80%。值得注意的是，可逆工作電壓平臺隨著循環(huán)次數(shù)的新增未有明顯衰減，這關于能量密度的保持極為關鍵。與其他已報道的聚陰離子型高能量密度的材料相比，該材料達到了400Wh/Kg，且所有元素均為廉價易得元素，故極具前景。GITT測試發(fā)現(xiàn)Na+的擴散系數(shù)在10-11數(shù)量級，且贗電容關于材料的倍率性能有一定貢獻。

圖3Na2Fe2(SO4)3@C@GO及比較樣品Na2Fe2(SO4)3@C的倍率性能圖(b)dQ/dV圖(c)能量密度比較圖(d)充放電容量曲線比較圖(e)循環(huán)性能圖。(f)不同循環(huán)次數(shù)下的充放電容量曲線以及中值電壓保持率。(g)GITT測試結果圖(h)不同掃速下的CV圖(i)材料在0.3mV/s掃速下贗電容的貢獻

隨后，作者通過同步輻射原位XRD測試來進一步研究其儲能機理，并發(fā)現(xiàn)在首圈循環(huán)過程中，{111}晶面簇顯示出了和其他晶面非對稱的角度變化。該晶面簇重要是由[Fe2O10]及Na2位鈉原子組成，隨著鈉離子的持續(xù)脫出，共邊的相鄰鐵原子間的靜電斥力有所減弱，相應距離有所新增所致。同時，晶胞參數(shù)的非對稱變化也說明了Fe遷移進入了Na1位，因此出現(xiàn)了些許的晶格畸變。有意思的是，該現(xiàn)象在二圈及以后的循環(huán)中并未有明顯的顯現(xiàn)。同時，遷移后的Fe原子仍然可以脫嵌，且供應了3.4V左右寬化的Fe2+/Fe3+氧化還原峰。PPMS測試確認了Fe原子的高自旋態(tài)。

圖4Na2Fe2(SO4)3@C@GO樣品的同步輻射原位XRD圖及其相對應的晶胞參數(shù)變化

圖5Bond-Valence(BV)計算結果以及氧化石墨烯/材料界面第一性原理計算結果

最后，作者通過理論計算，發(fā)現(xiàn)在bc面存在能壘很低的鈉離子可能活動的區(qū)域，說明了低維度的鈉離子傳輸是材料本征的傳輸特性。于此同時，Na1位由于位能量較高，先前被認為是不能進行脫嵌的，但通過計算表明其與Na2位和Na3位仍有一定的連接。這說明Na1在深度充放電下仍有移位至活性Na2及Na3位的可能。且第一性原理計算結果表明石墨烯表面的官能團和材料的氧或者硫存在成鍵的可能，也進一步說明了制備所得材料優(yōu)異的電化學性能的深層次原因。

材料制備過程

均勻碳包覆的Na2Fe2(SO4)3正極材料的制備：FeSO4·7H2O和Na2SO4首先在200℃真空狀態(tài)下煅燒4h，得到無水FeSO4以及無水Na2SO4。2mmol的無水Na2SO4和4mmol的無水FeSO4加入10mL水中，充分攪拌溶解。該溶液一直通入高純氬氣保護。100uL的吡咯單體加入上述溶液并攪拌1h。然后將該溶液滴加至液氮中，所得固體顆粒經(jīng)冷凍干燥48h后轉移至管式爐中，在氬氣氣氛下以350℃煅燒24h。關于氧化石墨烯包覆的材料，10mg經(jīng)Hummer’s方法處理過的氧化石墨烯加入滴加至液氮前的溶液中并充分超聲分散。其余步驟均與未包覆氧化石墨烯的材料步驟一致。